隨著半導體製程持續朝向奈米尺度微縮與高效能整合發展，原子層沉積 (ALD) 與原子層蝕刻 (ALE) 技術已成為推動次世代半導體製程的重要關鍵。國儀中心長期深耕原子級製程及真空系統整合技術，憑藉自主研發實力，成功開發國內首套整合製程與即時分析功能的高階研究平台，「先進原子級製程暨分析技術開發」榮獲 115 年第二十屆國家實驗研究院傑出科技貢獻獎–技術發展類優等獎，展現國儀中心在先進半導體製程技術上的創新實力。

本項技術成果整合原子層沉積、原子層蝕刻、快速熱處理及即時X光光電子能譜分析系統，建構具備多腔體模組化設計與智慧晶圓傳輸功能的研究平台，可在超高真空環境下完成製程與即時分析，有效降低樣品污染風險，提升材料分析的準確性與製程效率。同時，團隊更突破多項關鍵製程技術，涵蓋高介電氧化物與氮化物薄膜低溫沉積、電漿輔助原子層蝕刻，以及快速升溫熱處理與表面改質，實現奈米至次奈米尺度的精準製程控制。

在實際應用方面，該平台已支援國內產學研團隊投入前瞻半導體材料與元件研發，包括超薄氧化銦電晶體、二維材料奈米片電晶體及奈米碳管電晶體等，並促成多項國際學術研究成果。此外，透過與產業界合作，持續提供製程開發、設備驗證及客製化系統建置服務，促進技術移轉與設備自主化發展。

本次獲獎不僅肯定國儀中心團隊長期投入原子級製程與分析技術的研發成果，更彰顯國研院在建構國家級研發平台、推動關鍵設備自主化及支援半導體產業創新發展上的重要貢獻。未來，國儀中心將持續精進先進製程與精密分析技術，深化產學研合作，為我國半導體科技發展注入更多創新動能。

恭賀獲獎團隊！也感謝所有參與及支持的合作夥伴，共同為臺灣科技研發與產業發展努力！