國研院國儀中心徵求學習型(外籍)博士研究生參與中心公務預算研究計畫，約用訊息公告。
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真空儀器與檢校技術組
- 學習內容：學習先進半導體元件製備、材料分析與元件製備
- 約用期間：114年3月1日至114年8月31日
- 約用人數：1人
- 約用地點：國儀中心（新竹市科學園區研發六路20號）
- 獎助津貼：博士生 6,000 元/月
- 收件截止日：114年2月11日，以 E-mail 寄送日期為憑
-
申請所需相關文件：
- 公務計畫（學習型）研究生申請表
- 蓋有註冊章學生證正反面或在學證明
- 聯絡窗口：戴小姐 Tel：03-5779911-531 E-mail：kate@niar.org.tw
- e-mail主旨：申請國儀中心研究生
國研院國儀中心徵求學習型博士研究生參與中心公務預算研究計畫，約用訊息公告。
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真空儀器與檢校技術組
- 學習內容：聚焦於6000系列鋁合金於循環熱處理與PVD鍍膜製程下的抗氫蝕與強化行為，進一步結合12吋多腔體式半導體設備/製程共創研發服務平台，探討跨材料與製程技術整合之潛能。藉由半導體級設備對鍍膜均勻性、界面控制與製程再現性之精密控制能力，推升功能性鍍膜鋁合金的高階應用價值。
- 約用期間：114年10月1日至114年12月31日
- 約用人數：1人
- 約用地點：國儀中心（新竹市科學園區研發六路20號）
- 獎助津貼：博士生 6,000 元/月
- 收件截止日：114年9月14日，以 E-mail 寄送日期為憑
-
申請所需相關文件：
- 公務計畫（學習型）研究生申請表
- 蓋有註冊章學生證正反面或在學證明
- 聯絡窗口：戴小姐 Tel：03-5779911-531 E-mail：kate@niar.org.tw
- e-mail主旨：申請國儀中心研究生
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先進材料製程與設備組
- 學習內容：學習操作ALD設備並完成鍍膜需求
- 約用期間：114年5月1日至114年6月30日
- 約用人數：1人(外籍生)
- 約用地點：國儀中心（新竹市科學園區研發六路20號）
- 獎助津貼：碩士生 6,000 元/月
- 收件截止日：114年4月13日，以 E-mail 寄送日期為憑
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申請所需相關文件：
- 公務計畫（學習型）研究生申請表
- 蓋有註冊章學生證正反面或在學證明
- 聯絡窗口：戴小姐 Tel：03-5779911-531 E-mail：kate@niar.org.tw
- e-mail主旨：申請國儀中心研究生
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真空儀器與檢校技術組
- 學習內容：利用HiPIMS系統濺鍍沉積薄膜，進行結構與應力等特性分析
- 約用期間：114年9月1日至114年12月31日
- 約用人數：1人
- 約用地點：國儀中心（新竹市科學園區研發六路20號）
- 獎助津貼：碩士生 8,000 元/月
- 收件截止日：114年8月19日，以 E-mail 寄送日期為憑
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申請所需相關文件：
- 公務計畫（學習型）研究生申請表
- 蓋有註冊章學生證正反面或在學證明
- 聯絡窗口：戴小姐 Tel：03-5779911-531 E-mail：kate@niar.org.tw
- e-mail主旨：申請國儀中心研究生