國家儀器科技研究中心

實驗室設備與提供服務模式

服務模式及設備

1.設備使用
計次收費，材料與相關設備請參考表一 (如有合作發表規劃費用可另議)
2.專案委託
設備開發(ALD/ PVD/ RTA/ etc.)
製程開發(ALD/ ALE/ etc.)
上述服務費用請來信洽談或詢問

表一、設備與材料對照表

Name	Wafer	Module/Tool	Characterization/Processing
Coupon-B	8"	Oxide ALD	Al₂O₃、ZnO、TiO₂、In₂O₃、SnO₂
Cluster PM1	6"	Oxide PEALD	Al₂O₃、HfO₂、ZrO₂、HZO
Cluster PM2	6"	Nitride PEALD	AlN、TaN
Cluster PM3^註1	6"	RTP	FGA、Sulfidization
Cluster PM4	6"	PEALE	Al₂O₃、ZnO、SiO₂、GaN
Cluster PM5^註2	6"	XPS	Film composition、AR Analysis
C.Cluster PM1	2"	Oxide ALD	In₂O₃、WO₃、IWO
C.Cluster PM2	2"	PEALD	TiN、SiN_x
EUV platform^註3	6"		Inspections of EUV PR and mask

^註1 RTP 服務及限制：
1.溫度最高到 900 ℃。
2.樣品大於25mm*25mm，且不得具有強磁性、揮發性、毒性及輻射性。若致設備汙染或損壞，由該申請人支付相關維修費用。

^註2 X射線光電子能譜儀 (XPS)亦提供薄膜成分即時分析服務，規範如下：
1.XPS模組與六吋叢集式(cluster)系統結合，並於真空環境下進行樣品傳遞，其設備規格為：X ray source: SPECS XR 50 (spot size~ 10mm*10mm);Analyzer: Omicron EA125.
2.送件樣品面積需大於25mm*25mm，且不得具有強磁性、揮發性、毒性及輻射性。若致設備汙染或損壞，由該申請人支付相關維修費用。
3.送件樣品若無法於30分鐘內以降至所需真空度(5x10^-6 torr)以下，則取消該次實驗且就已操作的時間收取費用。
4.本實驗室依報價單所列條件進行XPS取圖，並提供原始數據檔案(.spe/ .txt)與元素成分比例結案報告後即完成該次服務，不負責數據分析研判之工作。
5.結案報告交期為收到報價回簽單並取得樣品後約10個工作天，如遇設備故障則交期另議或取消訂單。
6.送件樣品請於檢測完3天內取回，逾期則視廢棄物處理，不另行通知。

^註3 EUV服務及限制：
1.可量測樣品EUV(13.5nm)波段10 ~ 84度絕對反射以及穿透率，並可提供光阻曝光測試。